速度比U盘快万倍 什么是第三类存储？

U盘是大件存储文件，资料的重要选择，但是我国的科学家们研发了一种比U盘的速度快一万倍的存储技术，到底什么是第三类存储呢?近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队研发出具有颠覆性的二维...

　　法律法规网综合消息 U盘是大件存储文件，资料的重要选择，但是我国的科学家们研发了一种比U盘的速度快一万倍的存储技术，到底什么是第三类存储呢?

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。北京时间4月10日，相关成果以长文形式在线发表于《自然·纳米技术》，题为《用于准非易失应用的范德瓦尔斯结构半浮栅存储》。

目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机的内存，可在几纳秒左右写入数据，但掉电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储，例如U盘，需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来，但在写入数据后无需额外能量可保存10年。

新型电荷存储技术能够实现全新的第三类存储特性：写入速度比目前U盘快1万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构。它既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制(10秒—10年)的可调控数据准非易失特性;既可以在高速内存中极大降低存储功耗，还可以实现数据有效期截止后自然消失，为一些特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。

这项研究创新性地选择了二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪、氮化硼等多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管，制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。其中一部分如同一道可随手开关的门，电子易进难出;另一部分则像一面密不透风的墙，电子难以进出。对“写入速度”与“非易失性”的调控，就在于这两部分的比例。这一重要突破，从技术定义、结构模型到性能分析的全过程，均由复旦大学科研团队独立完成。《自然·纳米技术》的专家评审意见称其为“范德瓦尔斯异构结构器件发展的一个重要里程碑”。

兼具存储速度快和长期储存优点

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队制成具有颠覆性的二维半导体“准非易失存储”原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。昨天零时，相关工作以《用于准非易失应用的范德瓦尔斯结构半浮栅存储》为题在线发表于《自然·纳米技术》。

实现10纳秒写入和按需定制

此次课题组研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制(10秒—10年)的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗，同时还可以实现数据有效期截止后自然消失，在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。值得一提的是，若将这一技术应用现有的电脑内存，在较高存储速度和较长保存时间的条件下，就无需高频刷新，对降低能耗也有至关重要的意义。

“这项研究创新性地选择了多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管：二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪分别用于开关电荷输运和储存，氮化硼作为隧穿层，制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结构。”周鹏介绍，选择这几种二维材料，将充分发挥二维材料的丰富能带特性。“一部分如同一道可随手开关的门，电子易进难出;另一部分则像一面密不透风的墙，电子难以进出。对‘写入速度’与‘非易失性’的调控，就在于这两部分的比例。”

发现二维材料的新异质结构

写入速度比目前U盘快10000倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构……经过测试，研究人员发现这种基于全二维材料的新型异质结构能够实现全新的第三类存储特性。2017年，团队发布了利用二维半导体的丰富能带结构特性解决电荷存储技术中的“过擦除”现象。在后续存储器研究中，研究人员发现，当利用二维半导体实现新型结构存储后，会有更多“奇异新特性”。

课题组专家介绍，二维材料发轫于石墨烯的发现，在平面内存在强有力的化学键键合，而层与层之间则依靠分子间作用力堆叠在一起。因此，二维材料可以获得单层的具有完美界面特性的原子级别晶体。同时它是一个兼有导体、半导体和绝缘体的完整体系。这对集成电路器件进一步微缩并提高集成度、稳定性以及开发新型存储器都有着巨大潜力，是降低存储器功耗和提高集成度的崭新途径。