中国开创第三类存储 [生活]
原题：中国开创第三类存储技术：写入速度快U盘万倍，存储时间自定来源：中华网近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前U盘快一万倍，数...
原题：中国开创第三类存储技术：写入速度快U盘万倍，存储时间自定来源：中华网
近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前U盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中写入速度与非易失性难以兼得的难题。
近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前U盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中写入速度与非易失性难以兼得的难题。
北京时间４月１０日，相关成果在线发表于《自然纳米技术》杂志。
据了解，目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机中的内存，掉电后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，例如人们常用的Ｕ盘，在写入数据后无需额外能量可保存１０年。前者可在几纳秒左右写入数据，第二类电荷存储技术需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。
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2018年4月11日讯，中华人民共和国海事局网站4月10日以中英文发布题为“三亚南部海域军事训练临时禁航区--琼航警0048”消息称，中国海军今起（11日）将在三亚南部海域进行3天军事训练。全文如下：“琼航警0048，南海，4月11日0000时 ...