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意法半导体(ST)创新出击 推出新款MOSFET和全球首封装功率电晶体

作者:米娜 来源:雅墨 2016-09-23 14:51:06

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体推出一系列采用TO-220FullPAKwidecreepage封装的功率电晶体,其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超接面MOSFET。电视和PC等常用的电器采开放式电源,容...

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体推出一系列采用TO-220 FullPAKwide creepage封装的功率电晶体,其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超接面MOSFET。

电视和PC等常用的电器采开放式电源,容易聚集尘土和粉尘,导致功率电晶体引脚之间产生高压电弧放电现象,TO-220FP wide creepage封装是这类应用功率电晶体的理想选择。在使用2.54mm引脚间隔的常规封装时,需要铸封、引线成形、套管或密封等特殊制程,这款新封装将引脚间距扩大至4.25mm,让电源厂商能够满足现行安全标准,将客户端的电源故障率降至最低,生产时无需使用额外的防电弧加工制程,从而简化了制造过程,提高了生产效率。

在提供优异的防电弧功能的同时,TO-220FP wide creepage也保留深受市场好评且出*的电子特*。此外,相似的外观尺寸还可以简化组装问题,确保符合现有组装流程。

TO-220FP wide creepage封装是意法半导体与其韩国知名电源厂商SoluM的合作开发成果。SoluM 正在使用这款优异封装,进行开发稳健*和成本效益高于竞品的电源解决方案。

意法半导体TO-220FP wide creepage功率电晶体目前进入量产准备阶段,并导入全球主要电视制造商的新产品中。新系列产品包括四款完全符合认证的600V低导通电阻RDSMDmesh? M2 系列MOSFET,额定电流从8A至34A。1500V STFH12N150K5和1200V STFH12N120K5 MDmesh K5系列产品预计将于2016年第三季度取得相关认证。更多产品资讯请造访:www.st.com/mosfet。

提供/意法半导体推出新款超接面MOSFET和全球首款1500V TO-220FP Wide Creepage 封装功率电晶体。)

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