跌价与位元出货增长相抵销 NAND Flash厂Q2营收持平上季

据研调机构TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查，受惠电子产品需求有所复苏，第2季NANDFlash整体产业位元消耗量成长约15%，但由于供应商存货仍高，第2季合约价跌幅仍非常显着，整体产业营收仍维持约108...

据研调机构 TrendForce 记忆体储存研究 (DRAMeXchange) 调查，受惠电子产品需求有所复苏，第 2 季 NAND Flash 整体产业位元消耗量成长约 15%，但由于供应商存货仍高，第 2 季合约价跌幅仍非常显着，整体产业营收仍维持约 108 亿美元的水准，较第一季基本持平。

展望第 3 季，虽然预期旺季需求有助出货表现，但受地缘经济冲突影响，需求表现恐较往年疲弱，但从供给面来看，NAND Flash 受到东芝 6 月跳电事件冲击影响，第 3 季合约价跌幅明显收敛，而 Wafer 市场则呈现涨势，预估整体营收较第 2 季成长可能性较高。

从产能来看，今年以来三星产能规划皆无太大改变，产能缩减部分皆以 社交软件12 的平面制程为主，3D NAND 整体投片规模与第 1 季非常。SK 海力士宣布整体 NAND 投片量将年减 15%，主要在于平面制程的缩减，因应需求转向较低成本的 3D NAND。新厂 M15 的整体 3D NAND 投片量会缓慢增长，并以 TLC 架构为主，今年内 SK 海力士无量产 QLC 产品的打算。

东芝记忆体四日市厂区受停电事件冲击影响显着，虽然产线大致于 7 月中旬前恢复，对整体市场供给影响仍大，约占全体年产出的 3%。威腾电子决定上半年进行减产，受到四日市厂区跳电事故的影响，产能损失幅度约为 6 ExaBytes，截至 7 月底前产线已大致恢复。

美光第 1 季以宣布较先前生产计划减少 5%，第 2 季更进一步扩大至 10%，3D NAND 的产出比重仍将维持 90% 以上。英特尔第 1 季暂停后续在大连厂的扩产规划，预估到年底间都不会扩产，目前在出货比重上仍以 64 层产品为主力，除逐步推进客户使用 96 层产品外，也积极导向采用高容量产品。