MIT科技评论：中芯14纳米年内出货 追上台积电南京厂

据《麻省理工科技评论(MITTechnologyReview)》报道，中初中芯国际(0981-HK)在去年宣布14纳米FinFET制程研发成功后，今年将如期开始出货贡献营收，正式追上台积电(2330-TW)南京12英寸晶圆厂的16纳米工艺，而《...

据《麻省理工科技评论 (MIT Technology Review)》报道，中初中芯国际 (0981-HK) 在去年宣布 14 纳米 FinFET 制程研发成功后，今年将如期开始出货贡献营收，正式追上台积电 (2330-TW) 南京 12 英寸晶圆厂的 16 纳米工艺，而《麻省理工科技评论》分析，中芯国际半导体制程大跃进功臣，即是联合首席执行长梁孟松。

曾任台积电前研发处长的梁孟松，先前也曾转投三星，之后才辗转到中芯国际效力，而梁孟松到中芯国际短短不到 10 个月的时间，就令中芯卡关 3 年多的 14 纳米制程获得突破，甚至在今年开始贡献营收。

《麻省理工科技评论》指出，梁孟松主要为中芯国际带来了“孟松三箭”：

第一箭是首颗采用 FinFET 制程制造的 14 纳米晶片，创下中国首颗 FinFET 制程自产晶片之里程碑，中芯国际 14 纳米 FinFET 工艺将同时瞄准全球客户，不是只有国内的 IC 设计客户，目前已经有超过 10 个流片客户数量。

第二箭是 12 纳米工艺，主要是强化第一代 FinFET 技术，而也已经进入客户的导入阶段，预计年底将有几个客户进行流片。

第三支箭是第二代 FinFET 工艺，暂定 N+1 技术世代，目前也密集与客户接触讨论此中商机，未来应用领域包括处理器、车用电子、人工智能等。

台积电南京 12 英寸晶圆厂 16 纳米晶片量产时，是中国境内最高阶的工艺技术，而当时中芯国际最高阶技术仅是 28 纳米。

而未来，台积电针对 16 纳米的微缩版本 12 纳米工艺，也将转移至南京厂，但日程未定；而中芯方面，已计划年底小量生产 14 纳米，再由 12 纳米接棒，计划追赶上台积电南京厂。

中芯国际在 8 月 8 日的董事会后也已宣布新的独立董事人选，原本该职位是由前台积电共同营运长蒋尚义担任，随着蒋尚义请辞赴武汉弘芯担任首席执行长，该职务空出，故中芯国际宣布，改由前台积电研发处长杨光磊出任。

对于中芯 14 纳米制程已获得突破，甚至今年开始贡献营收，市场多有议论是否中芯可能追赶上台积电技术，据业内人士透露，目前台积电领先中芯国际不只三个世代的制程，中芯量产 14 纳米工艺晶片对台积电来说，其实影响不大。