5G带动需求 研调看好稳懋、宏捷科明年表现

随着各国持续投入布建5G基地台等基础设施，集邦(TrendForce)旗下拓墣产业研究院今(8)日指出，现行射频元件将逐渐被砷化鎵(GaAs)晶圆取代，且数量将较4G倍增，预料相关台厂供应链如稳懋(3105-TW)、宏捷科(8086-T...

随着各国持续投入布建 5G 基地台等基础设施，集邦 (TrendForce) 旗下拓墣产业研究院今 (8) 日指出，现行射频元件将逐渐被砷化鎵 (GaAs) 晶圆取代，且数量将较 4G 倍增，预料相关台厂供应链如稳懋 (3105-TW)、宏捷科 (8086-TW) 及环宇 - KY(4991-TW)，明年都将进入新一波成长期。

拓墣指出，4G、5G 时代对于射频元件有高度需求，包含耐高电压、耐高温与高频使用等，而传统 HBT 和 CMOS 所使用的矽 (Si) 元件已无法满足需求，厂商便逐渐将目光转移至砷化鎵 (GaAs) 化合物半导体，砷化鎵较矽元件具备快速、抗干扰、低杂讯与耐高电压等特性，适用于无线通讯中的高频传输领域。

拓墣表示，由于 4G 时代的手机通讯频率使用范围已进展至 1.8-2.7GHz，对传统 3G 的矽晶圆射频元件已不敷使用，加上 5G 通讯市场正步入高速成长期，使用频段也更广泛 (包含 3～5GHz、20～30GHz)，因此无论是 4G 或 5G 通讯应用，现行射频元件都将逐渐被砷化鎵取代。

不过，自去年开始受美中贸易战影响，全球手机销售量下滑，拓墣表示，预估今年全球砷化鎵 IDM 厂总营收将下滑至 58.35 亿美元年减约 8.9%，不过随着 5G 通讯持续发展，射频元件需求量将明显提升，如功率放大器 (PA) 使用量，由 3G 时代的 2 颗、4G 的 5-7 颗，提升至 5G 时代的 16 颗，将有助于带动产业营收成长，预估明年砷化鎵射频元件总营收将达 64.92 亿美元，年增 11.3%。