陈星弼院士去世

国际著名半导体器件物理学家、微电子学家，中国科学院院士，IEEELifeFellow，九三学社社员，电子科技大学教授陈星弼先生，因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在成都逝世，享年89岁。陈星弼(1931年1月28日-2019年12月4日)...

国际著名半导体器件物理学家、微电子学家，中国科学院院士，IEEE Life Fellow，九三学社社员，电子科技大学教授陈星弼先生，因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在成都逝世，享年89岁。

陈星弼(1931年1月28日-2019年12月4日)，出生于上海，半导体器件及微电子学专家，中国科学院院士，电子科技大学教授、博士生导师。

陈星弼从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究，被誉为“中国功率器件领路人” 。

1952年毕业于同济大学，后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。

1956年开始在成都电讯工程学院工作。

1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。

1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。

1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。

1999年当选为中国科学院院士。

2001年加入九三学社。

陈星弼先生是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是电子工业部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师。

他是国际著名的半导体器件物理学家、微电子学家，是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人，也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。